检测项目
化学成分检测：
- 主元素含量：[锗纯度≥99.99%]（参照ISO 17025）
- 杂质元素：[砷含量≤0.0005%、铅含量≤0.001%]
- 氧含量：[氧杂质≤10ppm]
- 密度测试：[密度范围1.5-5.5g/cm³]
- 熔点测定：[熔点值937±2℃]
- 电阻率测量：[电阻率0.1-100Ω·cm]
- 载流子浓度：[浓度范围10^14-10^18 cm^{-3}]
- 热导率测试：[热导率≥60W/m·K]
- 热膨胀系数：[系数值6.1×10^{-6}/K]
- 硬度测量：[维氏硬度≥700HV]
- 抗拉强度：[强度值≥50MPa]
- 粗糙度分析：[Ra≤0.1μm]
- 缺陷评估：[表面缺陷密度≤10/cm²]
- 金属杂质：[铁含量≤0.005%、铜含量≤0.003%]
- 非金属杂质：[碳含量≤5ppm]
- 总杂质含量：[总杂质≤0.01%]
- 同位素比例：[^{72}Ge/^{74}Ge比值1.0-1.2]
- 晶体结构：[晶格常数0.565nm]
- 晶粒尺寸：[尺寸范围10-100μm]
- 氧化速率：[速率值≤0.1mg/cm²·day]
- 湿度影响：[电阻变化≤5%]
检测范围
1. 高纯锗馏份： 检测重点为金属杂质含量及氧化程度控制
2. 锗单晶材料： 侧重晶体缺陷及电学均匀性评估
3. 锗多晶锭： 关注杂质分布及热稳定性测试
4. 锗化合物（如GeO₂）： 重点检测化学纯度及溶解性参数
5. 锗基半导体器件： 聚焦界面特性及载流子迁移率测量
6. 锗合金材料： 检测合金元素比例及机械强度
7. 锗薄膜涂层： 侧重厚度均匀性及附着强度分析
8. 锗粉末原料： 关注颗粒尺寸分布及纯度水平
9. 锗靶材产品： 检测密度一致性及表面光洁度
10. 回收锗材料： 重点评估杂质残留及再生纯度标准
检测方法
国际标准：
- ISO 17025:2017 检测实验室能力通用要求
- ASTM E1251-17 光谱化学分析标准
- ISO 14706:2014 表面化学分析标准
- GB/T 223.5-2008 金属材料化学分析方法
- GB/T 4336-2016 碳素钢和中低合金钢光谱分析
- GB/T 14233-2021 半导体材料电性能测试
检测设备
1. 电感耦合等离子体质谱仪： Agilent 7900型（检出限0.0001ppm，分辨率0.7amu）
2. 原子吸收光谱仪： PerkinElmer PinAAcle 900T型（波长范围190-900nm，精度±0.5%）
3. X射线衍射仪： Bruker D8 ADVANCE型（角度范围0-160°，精度±0.001°）
4. 扫描电子显微镜： Zeiss EVO 18型（放大倍数10-1000000×，分辨率3nm）
5. 四探针电阻率测试仪： Lucas Labs Pro4型（测量范围0.001-100Ω·cm，误差±1%）
6. 热分析仪： Netzsch STA 449 F3型（温度范围-150-1650℃，灵敏度0.1μg）
7. 表面粗糙度仪： Mitutoyo SJ-410型（测量精度±0.01μm，行程范围350mm）
8. 维氏硬度计： Wilson VH1150型（载荷范围10-1000gf，精度±1HV）
9. 热导率测量仪： LFA 467 HyperFlash型（温度范围-100-500℃，精度±3%）
10. 环境试验箱： ESPEC PL-3型（湿度范围10-98%RH，温度控制±0.5℃）
11. 光谱椭偏仪： J.A. Woollam M-2000型（波长范围245-1700nm，角度精度±0.01°）
12. 粒度分析仪： Malvern Mastersizer 3000型（测量范围0.01-3500μm，重复性±0.5%）
13. 电子万能试验机： Instron 3369型（载荷范围0.02-50kN，精度±0.5%）
14. 高精度天平： Mettler Toledo XSE105型（量程0-120g，分辨率0.01mg）
15. 氧化稳定性测试仪： TA Instruments Q500型（升温速率0.1-100℃/min，质量精度±0.1μg）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
